ELO，即ELO中心，是半绝缘体GaAs材料中一种特有的缺陷中心，这一现象源于晶格中As原子被氧原子所取代，形成了一种点缺陷，其特性为施主型的深能级，这种氧原子不仅能够单独存在，还能与其他点缺陷结合形成复合的点缺陷，共同发挥着施主作用，其结果是，p型GaAs的电阻率因此而增大,对材料的电学性能产生了显著影响。
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ELO，即ELO中心，是半绝缘体GaAs材料中一种特有的缺陷中心，这一现象源于晶格中As原子被氧原子所取代，形成了一种点缺陷，其特性为施主型的深能级，这种氧原子不仅能够单独存在，还能与其他点缺陷结合形成复合的点缺陷，共同发挥着施主作用，其结果是，p型GaAs的电阻率因此而增大,对材料的电学性能产生了显著影响。