H20R1202是一款N沟道MOSFET场效应管，其参数如下：，* 漏极-源极电压（VDS）：1200V，* 漏极电流（ID）：20A，* 栅极阈值电压（VGS(th)）：4V，* 更大功耗（Ptot）：250W，* 更大漏源导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω（VGS=10V），* 工作温度范围：-55℃至+150℃，* 封装类型：TO-247-3L，H20R1202适用于高电压、大电流的功率转换应用，如电机驱动、逆变器、电源供应器等，其高耐压和低导通电阻的特性使得它在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。
H20R1202,作为一款卓越的场效应管，其性能参数令人瞩目，它能够承受的更大漏极电流（I_D）高达20A，确保在高负载下依然稳定运行，其更大漏极-源极电压（V_DS）可达1200V，为高电压环境下的应用提供了坚实保障，在栅极-源极电压（V_GS）方面，它能够承受±20V的电压变化，展现了出色的电压适应性。
尤为值得一提的是,H20R1202的漏极-源极导通电阻（R_DS(on)）仅为0.2Ω，这一低导通电阻的特性使得它在导通状态下能够减少能量损耗，提高效率，它还具备高开关速度和良好的热稳定性，这些特点共同确保了其在高功率应用中的卓越表现。
H20R1202场效应管凭借其出色的参数和卓越的性能特点,成为了高功率应用中的理想选择。
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