选择三极管,应该关心哪些参数?

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kanwenda
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  1、共射电放逐大系数 和β

  在共射极放大电路中,若交换输入信号为零,则管子各极间的电压和电流都是曲流量,此时的集电极电流IC和基极电流IB

的比就是 , 称为共射曲流电放逐大系数。

  当共射极放大电路有交换信号输入时,因交换信号的感化,一定会引起IB的变革,响应的也会引起IC的变革,两电流变革量的比称为共射交换电放逐大系数β,即

  (5-6)

  上述两个电放逐大系数 和β的含义固然差别,但工做在输出特征曲线放大区平展部门的三极管,两者的差别极小,可做近似相等处置,故在此后应用时,凡是不加区分,间接互相替代利用。

  因为造造工艺的分离性,统一型号三极管的β值差别较大。常用的小功率三极管,β值一般为20~100。β过小,管子的电放逐高文用小,β过大,管子工做的不变性差,一般选用β在40~80之间的管子较为适宜。

  2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO

  (1)集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路,集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下,硅管的ICBO在nA(10-9)的量级,凡是可忽略。

  (2)集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时,集电极与发射极之间的反向电流,即穿透电流,穿透电流的大小受温度的影响较大,穿透电流小的管子热不变性好。

  3、极限参数

  (1)集电极更大允许电流ICM

  晶体管的集电极电流IC在相当大的范畴内β值根本连结稳定,但当IC的数值大到必然水平时,电放逐大系数β值将下降。使β明显削减的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能一般工做,IC不该超越ICM。

  (2)集电极更大允许功耗PCM

  晶体管工做时、集电极电流在集电结上将产生热量,产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM,即

  PCM=ICUCE (5-7)

  功耗与三极管的结温有关,结温又与情况温度、管子能否有散热器等前提相关。按照5-7式可在输出特征曲线上做出三极管的允许功耗线,如图5-8所示。功耗线的左下方为平安工做区,右上方为过损耗区。

  手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃摆布,锗管为70℃摆布,利用时应留意不要超越此值,不然管子将损坏。

  (3)反向击穿电压UBR(CEO)

  反向击穿电压UBR(CEO)是指基极开路时,加在集电极与发射极之间的更大允许电压。利用中若是管子两头的电压UCE>UBR(CEO),集电极电流IC将急剧增大,那种现象称为击穿。管子击穿将形成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时,有可能会呈现,当管子截行时,UCE>UBR(CEO)招致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下,三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR(CEO)。

  4、温度对三极管参数的影响

  几乎所有的三极管参数都与温度有关,因而不容轻忽。温度对下列的三个参数影响更大。

  (1)对β的影响:

  三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%,其成果是在不异的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大。

  (2)对反向饱和电流ICEO的影响:

  ICEO是由少数载流子漂移运动构成的,它与情况温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。因为硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管ICEO的影响不大。

  (3)对发射结电压ube的影响:

  和二极管的正向特征一样,温度上升1℃,ube将下降2~2.5mV。

  综上所述,跟着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,uCE将下降,那对三极管放高文用倒霉,利用中应采纳响应的办法克制温度的影响。

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